Фотопластический эффект

Фотопластический эффект — явление увеличения сопротивления пластической деформации полупроводников при возникновении внешнего светового излучения. Был открыт Ю. А. Осипьяном и И. Б. Савченко в 1968 г.^[1]^[2]^[3] Причиной фотопластического эффекта является воздействие света на распределение электрических зарядов внутри кристалла, вызывающее уменьшение скорости дрейфа дислокаций пластической деформации и уплотнение кристаллов.^[1]

Примечания

↑ ^1,0 ^1,1 Конюшая Ю. П. Открытия советских учёных. - М., Московский рабочий, 1979. - с. 410
↑ Андреев А. Ф., Алфёров Ж. И., Алдошин С. М., Бредихин С. И., Велихов Е. П., Гантмахер В. Ф., Кведер В. В., Ковальчук М В., Кулаковский В. Д., Матвеев В. А., Месяц Г. А., Тимофеев В. Б. "Памяти Юрия Андреевича Осипьяна Архивная копия от 28 апреля 2019 на Wayback Machine" // УФН 178 1239–1240 (2008)
↑ Вавилов В. С. "Особенности физики широкозонных полупроводников и их практических применений Архивная копия от 28 апреля 2019 на Wayback Machine" // УФН 164 287–296 (1994)

Литература

Героргбиани А. Н., Шейнкман М. К. Физика соединений A2B6. - М., Наука,

[Konu-1] 1,0 ^1,1 Конюшая Ю. П. Открытия советских учёных. - М., Московский рабочий, 1979. - с. 410

[2] Андреев А. Ф., Алфёров Ж. И., Алдошин С. М., Бредихин С. И., Велихов Е. П., Гантмахер В. Ф., Кведер В. В., Ковальчук М В., Кулаковский В. Д., Матвеев В. А., Месяц Г. А., Тимофеев В. Б. "Памяти Юрия Андреевича Осипьяна Архивная копия от 28 апреля 2019 на Wayback Machine" // УФН 178 1239–1240 (2008)

[3] Вавилов В. С. "Особенности физики широкозонных полупроводников и их практических применений Архивная копия от 28 апреля 2019 на Wayback Machine" // УФН 164 287–296 (1994)

[1]

[2]

[3]